Utilisé dans les serveurs GaN à charge rapide et IA – Un guide pour sélectionner un transformateur planaire

Jun 12, 2026 Laisser un message

Alors que les chargeurs rapides GaN, les systèmes automobiles 48 V et les appareils de pointe IA continuent d'exiger une densité de puissance et une efficacité plus élevées, les ingénieurs en conception de puissance sont confrontés à un défi commun : comment fournir plus de puissance dans un espace limité tout en contrôlant l'augmentation de la température et les interférences électromagnétiques (EMI) ? La taille des transformateurs bobinés traditionnels, en particulier leur hauteur, est devenue un obstacle majeur à une miniaturisation plus poussée. Avec leur structure à profil bas-, leur densité de puissance élevée et leurs excellentes performances à haute -fréquence, Transformateur planaire sont devenus une solution idéale.

 

Pourquoi les transformateurs planaires sont-ils meilleurs pour les alimentations électriques à haute-densité ?

1. Optimisé pour les applications à haute-fréquence

Les transformateurs planaires ont de faibles paramètres parasites et fonctionnent bien avec les dispositifs d'alimentation GaN et SiC fonctionnant à des fréquences allant de200 kHz à700kHz.

Des fréquences de commutation plus élevées permettent aux transformateurs de devenir plus petits et plus légers.

2. Résoudre les contraintes d'espace

Dans les applications telles que les serveurs IA, les chargeurs embarqués (OBC) et les modules d'alimentation 48 V, la hauteur constitue souvent une limitation de conception critique.

Les transformateurs planaires peuvent atteindre un profil de seulement7,4 à 9,0 mm, soit environ un-tiers de la hauteur des transformateurs classiques.

Cela rend-les conceptions de puissance ultra fines beaucoup plus faciles à réaliser.

3. Performances thermiques et EMI améliorées

La structure d'enroulement planaire étroitement couplée réduit considérablement l'inductance de fuite. Une inductance de fuite inférieure aide à réduire les pointes de tension et les pertes de commutation. La structure du noyau magnétique aide également à supprimer les interférences électromagnétiques à la source.

High-performance Planar transformer

Domaines d'application clés

Application Puissance typique Série recommandée avantages clés
Chargeurs rapides GaN (USB PD 3.1) 120W TP20DS 9 mm profile, >Efficacité de 97 %, faible génération de chaleur, faible EMI
Modules CC/CC automobiles 48 V 71–120W TP20BS / TP20DS Plage de température de qualité automobile-(-40 degrés à +125 degrés), excellentes performances thermiques
Passerelles et serveurs AI Edge 90–120W TP20CS / TP20DS Faible inductance de fuite, faible EMI, adapté aux alimentations de processeur-haute vitesse
Communications industrielles et stations de base 20W TPER14 Taille compacte, haute fiabilité, idéal pour les alimentations de modules
Alimentations pour pilotes de LED 20–120W TP14 / TP18 Haute efficacité et longue durée de vie

Avantages principauxInternal structure of a 100W GaN fast charger

Ultra-profil bas

  • Hauteur aussi basse que 7,4 à 9,0 mm
  • Environ un-tiers de la hauteur des solutions traditionnelles

Haute efficacité

  • Efficacité jusqu'à 97%
  • Exigences réduites en matière de gestion thermique

Inductance de fuite extrêmement faible

  • Inductance de fuite typique : 0,15 à 0,5 µH
  • Contrainte de commutation réduite sur les appareils électriques

Conception conviviale EMI-

  • Structure de blindage magnétique
  • Émissions rayonnées réduites

Large plage de températures de fonctionnement

  • -40 degrés à +125 degrés
  • Convient aux environnements automobiles et industriels

Capacité d'isolation élevée

  • Tension d'isolement de 1 500 VCA
  • Conforme aux exigences de sécurité

 

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